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12英寸碳化硅外延晶片在廈門火炬高新區(qū)首發(fā)
2025-12-25 17:01:09
來源:福建日報  作者: 廖麗萍

近日

廈門火炬高新區(qū)企業(yè)瀚天天成

依托研發(fā)團隊的自主技術(shù)攻堅

成功開發(fā)出

全球首款

12英寸高質(zhì)量碳化硅外延晶片

這一突破

不僅能顯著提高

下游功率器件的生產(chǎn)效率

更將大幅降

低碳化硅芯片的單位制造成本

為碳化硅產(chǎn)業(yè)規(guī)模化、低成本應用

奠定關(guān)鍵基礎

第三代半導體碳化硅比第一代硅半導體擁有更優(yōu)的高頻、高壓、高溫能力,能夠?qū)崿F(xiàn)系統(tǒng)更低的能耗、更小的體積和重量,被廣泛應用于新能源汽車、光伏發(fā)電、AI電源、軌道交通、智能電網(wǎng)及航空航天等領域。

相較于當前主流的150mm(6英寸)碳化硅外延晶片,以及尚處產(chǎn)業(yè)化推進階段的200mm(8英寸)晶片,300mm(12英寸)晶片憑借直徑的顯著擴容,在相同生產(chǎn)工序下,單片可承載的芯片(器件)數(shù)量實現(xiàn)大幅提升——較6英寸晶片提升至4.4倍,較8英寸晶片提升至2.3倍。

目前,瀚天天成已啟動12英寸碳化硅外延晶片的批量供應籌備工作,產(chǎn)品在關(guān)鍵性能指標上表現(xiàn)優(yōu)異:外延層厚度不均勻性控制在3%以內(nèi),摻雜濃度不均勻性≤8%,2mm×2mm芯片良率大于96%,可充分滿足下游功率器件領域的高可靠性應用需求。

據(jù)悉,瀚天天成是中國首家實現(xiàn)商業(yè)化3英寸、4英寸、6英寸碳化硅外延晶片批量供應的生產(chǎn)商。根據(jù)灼識咨詢研報,公司2023年已成為全球最大規(guī)模的碳化硅外延晶片供應商,2024年全球市場份額超31%。

(圖片來源:福建日報)

編輯:韓夢晨
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